TSM900N06CH X0G
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
NOVA-Teilenummer:
312-2292122-TSM900N06CH X0G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TSM900N06CH X0G
Standardpaket:
3,750
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-251 (IPAK) | |
| Basisproduktnummer | TSM900 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 500 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 25W (Tc) | |
| Andere Namen | TSM900N06CH X0G-ND TSM900N06CHX0G |
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