SI7308DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
NOVA-Teilenummer:
312-2287832-SI7308DN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7308DN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 6A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
| Basisproduktnummer | SI7308 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 5.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 665 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | |
| Andere Namen | SI7308DNT1GE3 SI7308DN-T1-GE3TR SI7308DN-T1-GE3CT SI7308DN-T1-GE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
DFLS240L-7Diodes Incorporated
BZT52C13T-7Diodes Incorporated
LTC4120EUD-4.2#PBFAnalog Devices Inc.- DFLZ39-7Diodes Incorporated
- DFLS260Q-7Diodes Incorporated
LT3760EFE#PBFAnalog Devices Inc.
SIS862DN-T1-GE3Vishay Siliconix- LTC4120EUD#PBFAnalog Devices Inc.
