IRF5305STRRPBF

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	D2PAK
Basisproduktnummer	IRF5305
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	31A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1200 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 110W (Tc)
Andere Namen	SP001571302

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