BSM180C12P3C202

SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
NOVA-Teilenummer:
312-2275707-BSM180C12P3C202
Hersteller-Teile-Nr:
BSM180C12P3C202
Standardpaket:
12
Technisches Datenblatt:

N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerRohm Semiconductor
RoHS 1
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten Module
Basisproduktnummer BSM180
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Serie-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 50mA
FET-Funktion-
Paket/KofferModule
Vgs (Max)+22V, -4V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 9000 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.) 880W (Tc)
Andere Namen846-BSM180C12P3C202

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