SCTWA60N120G2-4

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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

NOVA-Teilenummer:

312-2297729-SCTWA60N120G2-4

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SCTWA60N120G2-4

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	STMicroelectronics
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-247-4
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	94 nC @ 18 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-247-4
Vgs (Max)	+22V, -10V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1969 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)	388W (Tc)
Andere Namen	497-SCTWA60N120G2-4