SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
NOVA-Teilenummer:
312-2281534-SI1012CR-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI1012CR-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SC-75A
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SC-75A | |
| Basisproduktnummer | SI1012 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 630mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 8 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SC-75, SOT-416 | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 43 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 240mW (Ta) | |
| Andere Namen | SI1012CR-T1-GE3-ND SI1012CR-T1-GE3CT SI1012CR-T1-GE3DKR SI1012CR-T1-GE3TR |
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