SQJ886EP-T1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basisproduktnummer	SQJ886
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2922 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)	55W (Tc)
Andere Namen	SQJ886EP-T1_GE3-ND SQJ886EP-T1-GE3 SQJ886EP-T1-GE3-ND SQJ886EP-T1_GE3CT SQJ886EP-T1_GE3DKR SQJ886EP-T1_GE3TR

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