BSC020N03LSGATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Basisproduktnummer	BSC020
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	28A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	93 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	7200 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Andere Namen	BSC020N03LS G-ND SP000237662 BSC020N03LSGATMA1TR BSC020N03LS GDKR SP000264746 BSC020N03LS GDKR-ND BSC020N03LSGATMA1CT BSC020N03LSGATMA1DKR BSC020N03LS GTR-ND BSC020N03LS GCT-ND Q3390169 BSC020N03LS GCT BSC020N03LS G BSC020N03LSGXT

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