SQM40N10-30_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
NOVA-Teilenummer:
312-2279487-SQM40N10-30_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQM40N10-30_GE3
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-263 (D²Pak) | |
| Basisproduktnummer | SQM40 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 40A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3345 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) | |
| Andere Namen | SQM40N10-30_GE3-ND SQM40N10-30_GE3CT SQM40N10-30_GE3TR SQM40N10-30-GE3 SQM40N10-30-GE3-ND SQM40N10-30_GE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SQM40P10-40L_GE3Vishay Siliconix