SCTH35N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
NOVA-Teilenummer:
312-2289877-SCTH35N65G2V-7
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SCTH35N65G2V-7
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | H2PAK-7 | |
| Basisproduktnummer | SCTH35 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 45A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V, 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Max) | +22V, -10V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1370 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 208W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-SCTH35N65G2V-7DKR 497-SCTH35N65G2V-7TR 497-SCTH35N65G2V-7CT |
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