FQA65N20
MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
NOVA-Teilenummer:
312-2264861-FQA65N20
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQA65N20
Standardpaket:
450
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-3PN | |
| Basisproduktnummer | FQA65 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 65A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 32.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7900 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 310W (Tc) | |
| Andere Namen | FQA65N20OS FQA65N20FS FQA65N20-ND FQA65N20FS-ND |
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