SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

NOVA-Teilenummer:

303-2248821-SI6562CDQ-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI6562CDQ-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-TSSOP
Basisproduktnummer	SI6562
Paket/Koffer	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	6.7A, 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	850pF @ 10V
Leistung max	1.6W, 1.7W
Andere Namen	SI6562CDQT1GE3 SI6562CDQ-T1-GE3DKR SI6562CDQ-T1-GE3CT SI6562CDQ-T1-GE3TR

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