SI5935CDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
NOVA-Teilenummer:
303-2250898-SI5935CDC-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI5935CDC-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 1206-8 ChipFET™ | |
| Basisproduktnummer | SI5935 | |
| Paket/Koffer | 8-SMD, Flat Lead | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V | |
| FET-Funktion | Standard | |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 455pF @ 10V | |
| Leistung max | 3.1W | |
| Andere Namen | SI5935CDC-T1-GE3DKR SI5935CDC-T1-GE3CT SI5935CDC-T1-GE3TR SI5935CDCT1GE3 |
In stock Brauche mehr?
0,47570 $
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SI5935CDC-T1-E3Vishay Siliconix
INA226AIDGSRTexas Instruments
LT3652IDD#PBFAnalog Devices Inc.
