SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

NOVA-Teilenummer:

303-2247499-SI7956DP-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI7956DP-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basisproduktnummer	SI7956
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	-
Leistung max	1.4W
Andere Namen	SI7956DP-T1-GE3TR SI7956DP-T1-GE3DKR SI7956DP-T1-GE3CT SI7956DPT1GE3

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