SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
NOVA-Teilenummer:
303-2249052-SIS932EDN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIS932EDN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Basisproduktnummer | SIS932 | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | |
| FET-Funktion | Standard | |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1000pF @ 15V | |
| Leistung max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) | |
| Andere Namen | SIS932EDN-T1-GE3TR SIS932EDN-T1-GE3CT SIS932EDN-T1-GE3DKR |
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