EPC2105
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
NOVA-Teilenummer:
303-2243658-EPC2105
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
EPC2105
Standardpaket:
500
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A - Surface Mount Die
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | Die | |
| Paket/Koffer | Die | |
| Serie | eGaN® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.5A, 38A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V | |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V | |
| Leistung max | - | |
| Andere Namen | 917-1185-6 917-1185-2 917-1185-1 |
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