SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

NOVA-Teilenummer:

303-2251458-SIS990DN-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIS990DN-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8 Dual
Basisproduktnummer	SIS990
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
FET-Funktion	Standard
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	250pF @ 50V
Leistung max	25W
Andere Namen	SIS990DN-T1-GE3TR SIS990DN-T1-GE3DKR SIS990DN-T1-GE3CT

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