SIA938DJT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

NOVA-Teilenummer:

303-2066298-SIA938DJT-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIA938DJT-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basisproduktnummer	SIA938
Paket/Koffer	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
FET-Funktion	Standard
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	425pF @ 10V
Leistung max	1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Andere Namen	742-SIA938DJT-T1-GE3DKR 742-SIA938DJT-T1-GE3TR 742-SIA938DJT-T1-GE3CT

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