SQJ262EP-T1

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

NOVA-Teilenummer:

303-2250052-SQJ262EP-T1_GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SQJ262EP-T1_GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Basisproduktnummer	SQJ262
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
FET-Funktion	Standard
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Leistung max	27W (Tc), 48W (Tc)
Andere Namen	SQJ262EP-T1_GE3CT SQJ262EP-T1_GE3DKR SQJ262EP-T1_GE3TR

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