FDMS3669S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
NOVA-Teilenummer:
303-2249857-FDMS3669S
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDMS3669S
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | Power56 | |
| Basisproduktnummer | FDMS3669 | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13A, 18A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V | |
| FET-Funktion | Logic Level Gate | |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1605pF @ 15V | |
| Leistung max | 1W | |
| Andere Namen | FDMS3669SCT FDMS3669SDKR 2156-FDMS3669S-OS FDMS3669STR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- 1SMB5920BT3Gonsemi
- 1SMB5919BT3Gonsemi
- NTJD4105CT2Gonsemi
- SZ1SMB5920BT3Gonsemi
- NCP45540IMNTWG-Honsemi
- BSC0924NDIATMA1Infineon Technologies
- NCP380HMU21AATBGonsemi
- SZ1SMB5919BT3Gonsemi
- TS3USB3031RMGRTexas Instruments
- FDC6333Consemi
- NVGS5120PT1Gonsemi
- NCP45520IMNTWG-Honsemi
- NTTFS5116PLTAGonsemi











