BSM300D12P3E005
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
NOVA-Teilenummer:
303-2248925-BSM300D12P3E005
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSM300D12P3E005
Standardpaket:
4
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1260W (Tc) Chassis Mount Module
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Chassis Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | Module | |
| Basisproduktnummer | BSM300 | |
| Paket/Koffer | Module | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 300A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 91mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - | |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) | |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 14000pF @ 10V | |
| Leistung max | 1260W (Tc) | |
| Andere Namen | 846-BSM300D12P3E005 |
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