SQUN702E-T1_GE3
MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
NOVA-Teilenummer:
303-2250284-SQUN702E-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQUN702E-T1_GE3
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 40V, 200V 30A (Tc), 20A (Tc) 48W (Tc), 60W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank Die
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount, Wettable Flank | |
| Gerätepaket des Lieferanten | Die | |
| Basisproduktnummer | SQUN702 | |
| Paket/Koffer | Die | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30A (Tc), 20A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V | |
| FET-Funktion | Standard | |
| FET-Typ | N and P-Channel, Common Drain | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V, 200V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V | |
| Leistung max | 48W (Tc), 60W (Tc) | |
| Andere Namen | SQUN702E-T1_GE3DKR SQUN702E-T1_GE3CT SQUN702E-T1_GE3TR |
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