EPC2107

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

NOVA-Teilenummer:

303-2247466-EPC2107

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

EPC2107

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	EPC
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	9-BGA (1.35x1.35)
Paket/Koffer	9-VFBGA
Serie	eGaN®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET-Funktion	GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Typ	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Leistung max	-
Andere Namen	917-1168-2 917-1168-1 917-1168-6

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