SI4922BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

NOVA-Teilenummer:

303-2065731-SI4922BDY-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI4922BDY-T1-GE3

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	SI4922
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
FET-Funktion	Standard
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2070pF @ 15V
Leistung max	3.1W
Andere Namen	SI4922BDY-T1-GE3DKR SI4922BDY-T1-GE3CT SI4922BDY-T1-GE3TR SI4922BDY-T1-GE3-ND

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