SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
NOVA-Teilenummer:
303-2247732-SQJ244EP-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQJ244EP-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | |
| Basisproduktnummer | SQJ244 | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A (Tc), 60A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 45nC @ 10V | |
| FET-Funktion | Standard | |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V | |
| Leistung max | 27W (Tc), 48W (Tc) | |
| Andere Namen | SQJ244EP-T1_GE3CT SQJ244EP-T1_GE3DKR SQJ244EP-T1_GE3TR |
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