SI7252ADP-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

NOVA-Teilenummer:

303-2247932-SI7252ADP-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI7252ADP-T1-GE3

Standardpaket:

6,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	26.5nC @ 10V
FET-Funktion	Standard
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1266pF @ 50V
Leistung max	3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Andere Namen	742-SI7252ADP-T1-GE3TR 742-SI7252ADP-T1-GE3CT 742-SI7252ADP-T1-GE3DKR

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