SI4925BDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

NOVA-Teilenummer:

303-2249427-SI4925BDY-T1-E3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI4925BDY-T1-E3

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	SI4925
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	2 P-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	-
Leistung max	1.1W
Andere Namen	SI4925BDY-T1-E3TR SI4925BDY-T1-E3CT SI4925BDY-T1-E3DKR SI4925BDYT1E3

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!