SIZ980BDT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
NOVA-Teilenummer:
303-2248085-SIZ980BDT-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIZ980BDT-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc) 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PowerPair® (6x5) | |
| Basisproduktnummer | SIZ980 | |
| Paket/Koffer | 8-PowerWDFN | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V, 79nC @ 10V | |
| FET-Funktion | Standard | |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V | |
| Leistung max | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SIZ980BDT-T1-GE3CT 742-SIZ980BDT-T1-GE3TR 742-SIZ980BDT-T1-GE3DKR |
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