SI5999EDU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
NOVA-Teilenummer:
303-2254929-SI5999EDU-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI5999EDU-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® ChipFet Dual | |
| Basisproduktnummer | SI5999 | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® ChipFET™ Dual | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
| FET-Funktion | Logic Level Gate | |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 496pF @ 10V | |
| Leistung max | 10.4W | |
| Andere Namen | SI5999EDU-T1-GE3DKR SI5999EDUT1GE3 SI5999EDU-T1-GE3CT SI5999EDU-T1-GE3TR |
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