SI1965DH-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

NOVA-Teilenummer:

303-2251370-SI1965DH-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI1965DH-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	SC-70-6
Basisproduktnummer	SI1965
Paket/Koffer	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 8V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	2 P-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	120pF @ 6V
Leistung max	1.25W
Andere Namen	SI1965DH-T1-GE3TR SI1965DH-T1-GE3DKR SI1965DHT1GE3 SI1965DH-T1-GE3CT

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