SIZ918DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

NOVA-Teilenummer:

303-2247539-SIZ918DT-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIZ918DT-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-PowerPair® (6x5)
Basisproduktnummer	SIZ918
Paket/Koffer	8-PowerWDFN
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	2 N-Channel (Half Bridge)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	790pF @ 15V
Leistung max	29W, 100W
Andere Namen	SIZ918DT-T1-GE3CT SIZ918DT-T1-GE3TR SIZ918DT-T1-GE3DKR SIZ918DTT1GE3

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