NSVDTA115EET1G
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
NOVA-Teilenummer:
304-2065236-NSVDTA115EET1G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NSVDTA115EET1G
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SC-75, SOT-416 | |
| Basisproduktnummer | NSVDTA115 | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms | |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) | 100 kOhms | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| Paket/Koffer | SC-75, SOT-416 | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased | |
| Leistung max | 200 mW |
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