MJD31C1G

TRANS NPN 100V 3A IPAK

NOVA-Teilenummer:

301-2035959-MJD31C1G

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

MJD31C1G

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK

More Information
Kategorie	Transistoren – Bipolar (BJT) – Single
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	I-PAK
Basisproduktnummer	MJD31
Serie	-
Paket/Koffer	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	10 @ 3A, 4V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	1.2V @ 375mA, 3A
Häufigkeit – Übergang	3MHz
Strom – Kollektorabschaltung (max.)	50µA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	100 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	3 A
Transistortyp	NPN
Leistung max	1.56 W
Andere Namen	MJD31C1G-ND MJD31C1GOS

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