MJD112G

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TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

NOVA-Teilenummer:

301-2035888-MJD112G

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

MJD112G

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

More Information
Kategorie	Transistoren – Bipolar (BJT) – Single
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	DPAK
Basisproduktnummer	MJD112
Serie	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	1000 @ 2A, 3V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
Häufigkeit – Übergang	25MHz
Strom – Kollektorabschaltung (max.)	20µA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	100 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	2 A
Transistortyp	NPN - Darlington
Leistung max	1.75 W
Andere Namen	MJD112G-ND 2156-MJD112G-OS ONSONSMJD112G MJD112GOS

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