2N6491G
TRANS PNP 80V 15A TO220AB
NOVA-Teilenummer:
301-2022934-2N6491G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
2N6491G
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220 | |
| Basisproduktnummer | 2N6491 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 20 @ 5A, 4V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 3.5V @ 5A, 15A | |
| Häufigkeit – Übergang | 5MHz | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 1mA | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 80 V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 15 A | |
| Transistortyp | PNP | |
| Leistung max | 1.8 W | |
| Andere Namen | 2156-2N6491G-OS ONSONS2N6491G 2N6491GOS |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- 2SA2210-1Eonsemi
- D44VH10Gonsemi
- 2N6488Gonsemi
- SUD50P06-15-BE3Vishay Siliconix
- BSS123IXTSA1Infineon Technologies
- BD911STMicroelectronics
- BD912NTE Electronics, Inc
- FJP1943RTUonsemi







