MJD112T4G
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
NOVA-Teilenummer:
301-2032823-MJD112T4G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
MJD112T4G
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK | |
| Basisproduktnummer | MJD112 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A | |
| Häufigkeit – Übergang | 25MHz | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 20µA | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 100 V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 2 A | |
| Transistortyp | NPN - Darlington | |
| Leistung max | 20 W | |
| Andere Namen | 2156-MJD112T4G-OS MJD112T4GOSTR MJD112T4GOS-ND MJD112T4GOS MJD112T4GOSCT ONSONSMJD112T4G MJD112T4GOSDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- MJD117T4Gonsemi
- MJD112T4STMicroelectronics
- MJD117Gonsemi
- MJD122T4Gonsemi
- MJD6039T4Gonsemi
- TBD62084AFG,ELToshiba Semiconductor and Storage




