2N4123
T-NPN SI- GEN PUR AMP
NOVA-Teilenummer:
301-2029567-2N4123
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
2N4123
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
| Hersteller | NTE Electronics, Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-92 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 50 @ 2mA, 1V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA | |
| Häufigkeit – Übergang | 250MHz | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 30 V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 200 mA | |
| Transistortyp | NPN | |
| Leistung max | 350 mW | |
| Andere Namen | 2368-2N4123 |
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