2N5551

T-NPN SI- HIV AMP
NOVA-Teilenummer:
301-2030755-2N5551
Hersteller-Teile-Nr:
2N5551
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:

Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92

More Information
KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – Single
HerstellerNTE Electronics, Inc
RoHS 1
Betriebstemperatur -
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-92
Serie-
Paket/KofferTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Häufigkeit – Übergang300MHz
Strom – Kollektorabschaltung (max.)-
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)160 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200 mA
TransistortypNPN
Leistung max 625 mW
Andere Namen2368-2N5551

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