MT3S111TU,LF
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
NOVA-Teilenummer:
302-2017671-MT3S111TU,LF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
MT3S111TU,LF
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – RF | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | UFM | |
| Basisproduktnummer | MT3S111 | |
| Serie | - | |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz | |
| Paket/Koffer | 3-SMD, Flat Lead | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V | |
| Häufigkeit – Übergang | 10GHz | |
| Gewinnen | 12.5dB | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 6V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
| Transistortyp | NPN | |
| Leistung max | 800mW | |
| Andere Namen | MT3S111TULFDKR MT3S111TU,LF(T MT3S111TU,LF(B MT3S111TULFCT MT3S111TULFTR |
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