MT3S111P(TE12L,F)
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
NOVA-Teilenummer:
302-2017293-MT3S111P(TE12L,F)
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
MT3S111P(TE12L,F)
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – RF | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PW-MINI | |
| Basisproduktnummer | MT3S111 | |
| Serie | - | |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz | |
| Paket/Koffer | TO-243AA | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V | |
| Häufigkeit – Übergang | 8GHz | |
| Gewinnen | 10.5dB | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 6V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
| Transistortyp | NPN | |
| Leistung max | 1W | |
| Andere Namen | MT3S111P(TE12LF)DKR MT3S111P(TE12LF)TR MT3S111P(TE12LF) MT3S111P(TE12LF)CT |
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