RN1902FE,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
NOVA-Teilenummer:
299-2013332-RN1902FE,LF(CT
Hersteller-Teile-Nr:
RN1902FE,LF(CT
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

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KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten ES6
Basisproduktnummer RN1902
Serie-
Paket/KofferSOT-563, SOT-666
Widerstand - Basis (R1)10kOhms
Widerstand – Emitterbasis (R2)1kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Häufigkeit – Übergang250MHz
Strom – Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)50V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Transistortyp2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leistung max 100mW
Andere NamenRN1902FE(T5L,F,T)
RN1902FE(T5LFT)TR
RN1902FELF(CTCT
RN1902FELF(CTTR
RN1902FE(T5LFT)TR-ND
RN1902FE(T5LFT)CT
RN1902FE(T5LFT)CT-ND
RN1902FE(T5LFT)DKR
RN1902FELF(CTDKR
RN1902FE,LF(CB
RN1902FE(T5LFT)DKR-ND

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