MUN5335DW1T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
NOVA-Teilenummer:
299-2013386-MUN5335DW1T1G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
MUN5335DW1T1G
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Basisproduktnummer | MUN5335 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms | |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47kOhms | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| Häufigkeit – Übergang | - | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Leistung max | 250mW | |
| Andere Namen | MUN5335DW1T1GOSCT MUN5335DW1T1GOSTR MUN5335DW1T1G-ND MUN5335DW1T1GOSDKR ONSONSMUN5335DW1T1G 2156-MUN5335DW1T1G-OS |
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