RN1905FE,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
NOVA-Teilenummer:
299-2013417-RN1905FE,LF(CT
Hersteller-Teile-Nr:
RN1905FE,LF(CT
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

More Information
KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten ES6
Basisproduktnummer RN1905
Serie-
Paket/KofferSOT-563, SOT-666
Widerstand - Basis (R1)2.2kOhms
Widerstand – Emitterbasis (R2)47kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Häufigkeit – Übergang250MHz
Strom – Kollektorabschaltung (max.)500nA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)50V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Transistortyp2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leistung max 100mW
Andere NamenRN1905FE(TE85LF)TR-ND
RN1905FE(TE85LF)DKR-ND
RN1905FE(TE85LF)CT-ND
RN1905FELF(CBDKR
RN1905FELF(CBTR-ND
RN1905FELF(CBCT
RN1905FELF(CTTR
RN1905FELF(CBDKR-ND
RN1905FE,LF(CB
RN1905FE(TE85LF)TR
RN1905FELF(CTCT
RN1905FE(TE85LF)DKR
RN1905FELF(CBCT-ND
RN1905FE(TE85L,F)
RN1905FELF(CBTR
RN1905FELF(CTDKR
RN1905FE(TE85LF)CT

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Whatsapp

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.