MUN5214DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
NOVA-Teilenummer:
299-2013309-MUN5214DW1T1G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
MUN5214DW1T1G
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Basisproduktnummer | MUN5214 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms | |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47kOhms | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| Häufigkeit – Übergang | - | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
| Leistung max | 250mW | |
| Andere Namen | MUN5214DW1T1G-ND MUN5214DW1T1GOSCT MUN5214DW1T1GOSDKR MUN5214DW1T1GOSTR |
In stock Brauche mehr?
0,05120 $
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
NN01-102Ignion (formerly Fractus)
SN74LVC2G241DCURTexas Instruments
MBR0540T1Gonsemi
LTST-C191TBKTLite-On Inc.
CLVBA-FKA-CAEDH8BBB7A363CreeLED, Inc.
NCP167AMX330TBGonsemi
ESP32-PICO-D4Espressif Systems- SN74LVC2G02DCURTexas Instruments
