IMD2AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
NOVA-Teilenummer:
299-2013183-IMD2AT108
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IMD2AT108
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SMT6 | |
| Basisproduktnummer | IMD2AT108 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | SC-74, SOT-457 | |
| Widerstand - Basis (R1) | 22kOhms | |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) | 22kOhms | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| Häufigkeit – Übergang | 250MHz | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Leistung max | 300mW | |
| Andere Namen | IMD2AT108DKR IMD2AT108TR IMD2AT108-ND IMD2AT108CT |
In stock Brauche mehr?
0,07730 $
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
MMSZ5245C-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
FDS6680ASonsemi
STPS30L45CWSTMicroelectronics
BZT52H-C3V9,115NXP USA Inc.
SIS412DN-T1-GE3Vishay Siliconix
NCV7808BDTGonsemi
BQ24735RGRTTexas Instruments
416131160801Würth Elektronik
IRF4905PBFInfineon Technologies
BZT52H-C24,115Nexperia USA Inc.
