NTE2018

IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP

NOVA-Teilenummer:

298-2008993-NTE2018

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

NTE2018

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA - 1W Through Hole 18-PDIP

More Information
Kategorie	Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays
Hersteller	NTE Electronics, Inc
RoHS	1
Betriebstemperatur	-20°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	18-PDIP
Paket/Koffer	18-DIP (0.300", 7.62mm)
Serie	-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	1.6V @ 350mA, 500A
Häufigkeit – Übergang	-
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	50V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	600mA
Transistortyp	8 NPN Darlington
Leistung max	1W
Andere Namen	2368-NTE2018

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